Мы о звездах, и звезды о себе |
||
15 марта 1930 года родился физик Жорес Алферов. Свою карьеру он начинал в Физико-техническом институте им. А.Ф.Иоффе. Тогда перед учеными стояла задача: создать полупроводниковые приборы для внедрения в советскую промышленность. При участии Алферова были разработаны первые отечественные транзисторы и силовые германиевые приборы. В 1963 году Жорес Иванович начал изучение полупроводниковых гетеропереходов, а вскоре сформулировал новые общие принципы управления электронными и световыми потоками в гетероструктураx. Благодаря исследованиям Алферова мир получил мобильные телефоны, проигрыватели компакт-дисков, светодиоды, солнечные батареи и волоконно-оптические линии связи. А открытия ученого позволили кардинально улучшить параметры большинства известных полупроводниковых приборов и создать новые и перспективные для применения в оптической и квантовой электронике. В начале 90-х годов ученый стал заниматься наноструктурами. Его исследования заложили основы принципиально новой электроники с очень широким диапазоном применения, известной сегодня как «зонная инженерия». В 2000 году Жорес Алферов стал лауреатом Нобелевской премии по физике за разработки в полупроводниковой технике, разделив ее с учеными Г.Крёмером и Д.Килби. Жорес Иванович находит время и для общественной деятельности, как член КПРФ и депутат Государственной Думы. Коллеги о нем говорят: «Он совершенно не соответствует распространенному представлению об ученом как о «ботанике», как школьники отличников называют. Алфёров – настоящий мужик. Крепкий, упорный, спортивный. Сильный, но при этом исключительно дружелюбный человек. Ненавидит мелочность, не умеет «выбивать для себя блага», хотя сам из-за этого часто страдает. На него всегда можно положиться». |
январь |
|